电致发光激励临界转变温度提高的MgB₂基超导体及其制备方法

　　摘要：本发明涉及电致发光激励临界转变温度提高的MgB₂基超导体及其制备方法，利用Y₂O₃:Eu³⁺发光体异位掺杂改变MgB₂超导体临界转变温度。本发明采用水热法制备了两种不同发光强度的掺杂剂Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺II纳米棒，异位掺杂法制备Y₂O₃:Eu³⁺发光体掺杂的MgB₂基超导体。Y₂O₃:Eu³⁺发光体所占质量分数为1％和2％。随着掺杂剂发光强度的增加，MgB₂基超导体的T_c值不断增加。在无外界磁场的条件下，当用发光强度高的Y₂O₃:Eu³⁺II发光体作为掺杂剂，且掺杂浓度为2％时，MgB₂基超导体的T_c＝35.9K较纯MgB₂的T_c＝35.8K高。

专利类型发明专利
申请人西北工业大学;
发明人赵晓鹏;陶硕;李勇波;陈国维;
地址710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
申请号CN201610206412.X
申请时间2016年04月05日
申请公布号CN105788752A
申请公布时间2016年07月20日
分类号H01B12/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I;H01B12/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C01B35/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;