摘要：本发明属于二硫化钼复合材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法制备的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5h后，加入L?半胱氨酸，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的MoS2@rGO。该制备方法简单，重复性好，有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。
- 专利类型发明专利
- 申请人福州大学;
- 发明人李亚峰;魏明灯;车宗洲;熊佩勋;
- 地址350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
- 申请号CN201610212033.1
- 申请时间2016年04月07日
- 申请公布号CN105772035A
- 申请公布时间2016年07月20日
- 分类号B01J27/051(2006.01)I;
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