摘要：本发明公开了一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高亮度发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN层，所述N型GaN层包括依次覆盖在所述u型GaN层上的第一N型GaN子层、第二N型GaN子层和第三N型GaN子层，本发明中第二N型GaN子层采用多个生长周期生长而成，且每个生长周期中，先生长一定厚度的GaN，然后再向GaN中通入Si源进行掺杂，这种方式生长出的第二N型GaN子层的载流子浓度较高，因而横向电阻较小，另外发光二极管外延片的台阶面位于第二N型GaN子层上，所以电流由N电极传输下来时横向扩展较为容易，大大提高发光二极管的亮度。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201610123884.9
- 申请时间2016年03月04日
- 申请公布号CN105679907A
- 申请公布时间2016年06月15日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
