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    一种双通道类金刚石碳膜沉积装置

      摘要:本发明涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,真空室的上盖与真空室的室底相对,真空室的侧壁连接上盖和室底;阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部,阳极靶与阴极靶相对设置,阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间;驱动机构穿过室底与阴极靶相连;第一连接通道和第二连接通道在并联后,串联在抽真空装置和真空室之间,连通抽真空装置与真空室,第一连接通道的直径为第二连接通道的直径的3倍;第一调节阀设置在第一连接通道与真空室连通处;第二调节阀设置在第二连接通道与真空室连通处。本申请通过在抽真空装置与真空室之间设置两个连接通道,通过对两个连接通道的开闭程度的调节,能够精确的控制沉积装置内部气流的均匀性。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人成都西沃克真空科技有限公司;
    • 发明人向勇;傅绍英;徐子明;杨小军;孙力;
    • 地址610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港(双流园区)东海路六段680号
    • 申请号CN201610200281.4
    • 申请时间2016年03月31日
    • 申请公布号CN105671516A
    • 申请公布时间2016年06月15日
    • 分类号C23C16/26(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;