摘要：本发明公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本发明将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。
- 专利类型发明专利
- 申请人成都西沃克真空科技有限公司;
- 发明人向勇;傅绍英;胡杨;杨小军;
- 地址610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港（双流园区）东海路六段680号
- 申请号CN201610196820.1
- 申请时间2016年03月31日
- 申请公布号CN105671508A
- 申请公布时间2016年06月15日
- 分类号C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
