摘要：本发明公开了一种基于CMOS工艺的阈值电压自补偿的RF-DC转换器，其电路级数是N，跨M级电路结构。首先，电路采用了标准CMOS工艺下的MOS管，使得电路能够与其他电路模块集成，能够实现电路的小型化和集成化；其次，该RF-DC转化器使用了阈值电压自补偿技术，有效的降低了转换器件的阈值电压，使其能够接收小功率的RF能量。转换器件的阈值电压补偿是通过将NMOS的栅极接在后级更高电位的偏置，将PMOS的栅极接在前级更低电位的偏置来实现的。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人王伟印;王曦;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201510978265.3
- 申请时间2015年12月23日
- 申请公布号CN105610332A
- 申请公布时间2016年05月25日
- 分类号H02M7/217(2006.01)I;H02M1/06(2006.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
