一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法

　　摘要：本发明一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法，将先合成的铌酸钾铅多晶料压成致密圆柱状料块，选择不同取向的高质量铌酸钾铅单晶作为籽晶，将籽晶装入坩埚底部的种井部位，然后将原料块装入坩埚，使原料块处于炉膛内高温区，炉温控制在1360~1390℃，保持固液界面温度梯度为6~10℃/cm，保温3~7小时使多晶粉料充分熔融，坩埚下降速率为0.2~0.5mm/h；待原料全部结晶后，使坩埚处于炉膛恒温区，在1000~1200℃下保温，然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温，取出晶体，即可得到浅黄色铌酸钾铅压电单晶。本发明实现了高质量铌酸钾铅单晶的生长，降低了单晶制备难度，极大提高了铌酸钾铅压电单晶的成品率。

专利类型发明专利
申请人上海应用技术学院;
发明人田甜;刘文斌;李雨萌;徐家跃;储耀卿;雷云;周鼎;申慧;
地址200235 上海市徐汇区漕宝路120号
申请号CN201610129276.9
申请时间2016年03月08日
申请公布号CN105586638A
申请公布时间2016年05月18日
分类号C30B29/30(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;