摘要：本发明公开了一种高发光效率发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高发光效率发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；P型AlGaN层包括依次覆盖在多量子阱有源层上的第一P型AlGaN子层、u型GaN子层和第二P型AlGaN子层。不仅可以降低P型GaN载流子层中空穴翻越P型AlGaN层所需要的势能，同时还能在u型GaN子层中形成量子态，P型GaN载流子层中势能低于翻越P型AlGaN层所需要的势能的空穴，会通过量子隧穿效应隧穿到u型GaN子层中，进而传输到量子阱中，增加了注入多量子阱有源层中的空穴浓度。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510855764.3
- 申请时间2015年11月30日
- 申请公布号CN105514233A
- 申请公布时间2016年04月20日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
