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    一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法

    　　摘要：本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人贵州大学;
    • 发明人谢泉;廖杨芳;肖清泉;梁枫;王善兰;吴宏仙;房迪;张晋敏;陈茜;谢晶;范梦慧;黄晋;章竞予;
    • 地址550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处
    • 申请号CN201511002465.1
    • 申请时间2015年12月29日
    • 申请公布号CN105483617A
    • 申请公布时间2016年04月13日
    • 分类号C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;