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    基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑

      摘要:本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑。半桥MMC自均压拓扑,由半桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。半桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个机械开关发生电气联系,机械开关闭合,两者构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑,机械开关打开,拓扑等效为半桥MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下,自均压辅助回路中的6N个机械开关可以省略,用导线替代,直接构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑。该半桥MMC自均压拓扑,不依赖于专门的均压控制,能够在完成直交流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现半桥MMC的基频调制。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华北电力大学;
    • 发明人许建中;赵成勇;刘航;
    • 地址102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
    • 申请号CN201610047411.5
    • 申请时间2016年01月25日
    • 申请公布号CN105471260A
    • 申请公布时间2016年04月06日
    • 分类号H02M3/156(2006.01)I;H02J1/00(2006.01)I;