摘要：本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为：将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中，得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液；将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上，加热除去溶剂，得到均匀的膜；将两片膜对贴，中间用垫片隔开，并形成近距离空间，真空加热使胺盐升华与铅源反应，得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比，采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌，适合于制备大面积的光电器件，应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人谭占鳌;郭强;王志斌;李聪;王福芝;戴松元;
- 地址102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
- 申请号CN201510802508.8
- 申请时间2015年11月19日
- 申请公布号CN105470400A
- 申请公布时间2016年04月06日
- 分类号H01L51/48(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
