摘要：本发明公开了一种消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，通过将晶舟的出舟温度提高到氧热施主的生成温度以上，并通过快速冷却使硅片在出舟过程中快速通过氧热施主产生的温度区间，避免了氧热施主的产生，从而提高了高温退火后单晶硅片表面光电压法体铁测试结果的可信度。本发明的方法无须改变硬件条件，可行性强，重复性高。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人周文飞;刘耀琴;王建勋;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201510863269.7
- 申请时间2015年12月01日
- 申请公布号CN105470129A
- 申请公布时间2016年04月06日
- 分类号H01L21/324(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
