摘要：本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在A点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法，相对于传统透射电镜法，其探测灵敏度提高近一个数量级，具有不损伤样品、可测块体材料，可适用于液态、低温等各种环境等优势。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人陆培祥;韩晓博;王凯;龙华;王兵;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201510815035.5
- 申请时间2015年11月22日
- 申请公布号CN105466862A
- 申请公布时间2016年04月06日
- 分类号G01N21/21(2006.01)I;
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