基于等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑

　　摘要：本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中，半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下，辅助开关中的6K个机械开关可以省略。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，此外可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制。

专利类型发明专利
申请人华北电力大学;
发明人赵成勇;许建中;刘航;
地址102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
申请号CN201610047410.0
申请时间2016年01月25日
申请公布号CN105450048A
申请公布时间2016年03月30日
分类号H02M7/00(2006.01)I;H02M7/487(2007.01)I;H02M7/5387(2007.01)I;H02M1/32(2007.01)I;