摘要：本发明公开了一种用于单晶硅表面图案化微加工的贵金属催化化学腐蚀法。本发明采用（100）或（111）单晶硅片，常温下利用丙酮、无水乙醇和氢氟酸处理得到清洁的硅表面，然后在清洁的单晶硅表面上做设定图案的光刻掩膜；配制氢氟酸/贵金属盐溶液/氧化剂均匀混合的腐蚀液并放入水浴中预热，把硅片浸入腐蚀液，在一定的溶液配比下通过控制水浴温度与反应时间即可获得表面图案化微加工的单晶硅片。本发明利用特定贵金属催化工艺技术，单步法即可实现硅片表面图案的均匀腐蚀，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得表面图案化微加工的单晶硅片，拓宽了贵金属催化硅腐蚀的应用范畴，为硅片表面图案化微加工提供了新的思路和技术手段。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人李美成;李瑞科;白帆;黄睿;付鹏飞;
- 地址102206 北京市昌平区北农路2号
- 申请号CN201410440150.4
- 申请时间2014年09月01日
- 申请公布号CN105442049A
- 申请公布时间2016年03月30日
- 分类号C30B33/10(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
