摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位MMC拓扑。该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人赵成勇;许建中;刘航;
- 地址102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 申请号CN201610047418.7
- 申请时间2016年01月25日
- 申请公布号CN105429491A
- 申请公布时间2016年03月23日
- 分类号H02M7/219(2006.01)I;H02M1/00(2007.01)I;H02J3/36(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
