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    单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法及装置

      摘要:本发明涉及一种单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法及装置,其特征在于:在基于迈克耳孙干涉仪的测量光路中引入一个由双显微物镜构成的显微成像装置,收集来自单根一维纳米材料的微弱散射光信号进行成像和探测。第一激光器输出的探测光和第二激光器输出的参考光同时进入迈克耳孙干涉仪,迈克耳孙干涉仪输出的参考光经过反射镜到达第一探测器,迈克耳孙干涉仪输出的探测光依次经过显微成像装置、凸透镜到达第二探测器。本发明提出的方法及装置,综合了显微成像技术和傅里叶变换光谱技术的优势,在测量单根一维纳米材料散射光谱的同时,还可以确定单根一维纳米材料的位置,具有高分辨率、高灵敏度和高信噪比的优点。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人西北工业大学;
    • 发明人赵建林;尚武云;姜碧强;肖发俊;
    • 地址710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
    • 申请号CN201610016162.3
    • 申请时间2016年01月12日
    • 申请公布号CN105424617A
    • 申请公布时间2016年03月23日
    • 分类号G01N21/27(2006.01)I;