摘要:本发明公开了一种具有高发光效率的外延片生长方法,属于发光二极管领域。该方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层;在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层;在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层;在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层;其中,所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层,包括:在反应腔内温度为950℃,反应腔内压强为100torr的环境下,间歇式生长AlGaN层,并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源。本发明提供的方法使得注入多量子阱有源层中的空穴明显增加,可以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率,由于复合效率的提高,使电子溢漏的程度减小,提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510599117.0
- 申请时间2015年09月18日
- 申请公布号CN105280768A
- 申请公布时间2016年01月27日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;