摘要：本发明涉及一种SiC纳米线改性陶瓷基复合材料界面制备陶瓷基复合材料的方法，将多孔纤维预制体浸渍在催化剂溶液中，然后在CVD炉中，以三氯甲基硅烷MTS为硅源；氩气Ar作为稀释气体，稀释比为30～90；氢气作为载气，进行原位沉积SiC纳米线；再以三氯甲基硅烷MTS为硅源；氩气Ar作为稀释气体，稀释比为9～11，采用CVI工艺制备SiC基体，得到致密SiC纳米线改性的陶瓷基复合材料。本发明利用SiC纳米线的增强增韧机制，提高材料的力学性能。与相同工艺下的PyC界面的复合材料相比，SiC纳米线做界面的复合材料的弯曲强度提高了26.7％(图6)，还可以提高界面的抗氧化性。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人刘永胜;田卓;张程煜;万佳佳;董宁;成来飞;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201510578506.5
- 申请时间2015年09月11日
- 申请公布号CN105237021A
- 申请公布时间2016年01月13日
- 分类号C04B35/80(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
