摘要：本发明涉及半导体热电材料领域，尤其是一种新型n?type热电材料NbCoSb的制备方法，按照摩尔比1：1：1的比例选取一定量Nb粉、Co粉、Sb粉经过混料冷压、真空密封、固态烧结、固块磨粉、快速热压成型得到新型n?type热电材料NbCoSb，该材料突破传统理念，开发一种新的n?type热电材料—NbCoSb体系。不同于传统的18价电子n?type热电材料HfNiSn体系，NbCoSb具有19价电子，原材料中不含Hf，价格相对低廉。且使用本发明制取的新型n?type热电材料NbCoSb具有合金成分控制精度高、产物纯度高、产品热电性能好的特点，使用本方法操作简单、Sb损耗小、生产周期短，生产效率高。
- 专利类型发明专利
- 申请人西华大学;
- 发明人黄丽宏;张勤勇;任志锋;
- 地址610039 四川省成都市金牛区金周路999号
- 申请号CN201510789844.3
- 申请时间2015年11月17日
- 申请公布号CN105219995B
- 申请公布时间2017年03月01日
- 分类号C22C1/04(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;
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