摘要：本发明提供了一种新型硅镱量子面等离子体光源及其制备方法。本发明采用在硅衬底上形成硅镱量子面等离子体光源结构，可以在低频率泵浦光作用下发射较强的高频率光子，其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征，实现了光泵浦在可见光区的等离子体强发光（外量子效率大于50%）和在1400nm到1600nm光通信波段的发光，其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征。本发明不同于半导体LED和LD光源的发光机理，具有全新的发光物理机理与模型，并采用了新的PLE-PLD复合纳米制备方法及技术；解决了用低频率泵浦高频率发光的问题，提供了半导体照明的新光源和硅芯片光互联的新光源，可以有很好的新型硅镱等离子体光源应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人黄伟其;
- 地址550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科学技术处
- 申请号CN201510513274.5
- 申请时间2015年08月20日
- 申请公布号CN105206502A
- 申请公布时间2015年12月30日
- 分类号H01J65/04(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
