摘要：本发明公开了一种精确测定薄膜材料膜厚方向电阻率的方法及其装置，在绝缘衬底上自下而上依次沉积第一条形导电金属薄膜、第一绝缘层、待测薄膜、第二绝缘层及第二条形导电金属薄膜，形成待测样品，其中第一绝缘层与第二绝缘层在相同位置分别留有大小位置完全相同的导电孔，使第一条形导电金属薄膜、第二条形导电金属薄膜与待测薄膜通过上下两导电孔接触导通。采用电流通路与电压测试端分离的方法，避免电路中其它环节电阻影响；对同一电流值进行正反两次测量，得到一系列对应不同电流值下导电孔两端电阻值，均值后再结合待测薄膜与两层导电金属薄膜的接触电阻，计算得到待测薄膜膜厚方向的净电阻值，进而精确求得待测薄膜膜厚方向的电阻率。
- 专利类型发明专利
- 申请人武汉嘉仪通科技有限公司;
- 发明人王愿兵;杨君友;童浩;蔡颖锐;连小康;吴燕雄;张维;张鑫;
- 地址430075 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来科技城起步区A5北4号楼11层
- 申请号CN201510608017.X
- 申请时间2015年09月21日
- 申请公布号CN105203849A
- 申请公布时间2015年12月30日
- 分类号G01R27/08(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
