摘要：本发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法，将SiC颗粒与PVB和乙醇混合均匀，使PVB尽量均匀地包裹在SiC颗粒表面，便于把SiC颗粒粘接到一起，然后放入化学气相渗透炉(CVI炉)进行化学气相渗透，在CVI过程中，生成的SiC陶瓷相可以起到粘结SiC颗粒和填充孔隙的作用，进而使部件强度增强，得到指定形状的多孔SiC陶瓷部件。采用CVI法粘结SiC颗粒制备多孔SiC陶瓷材料，制备温度较低，工艺流程简单，能够制备复杂构件，且该方法制备的多孔SiC陶瓷的孔隙和力学性能可调节，可以根据具体要求调整工艺参数，进而得到所需条件的多孔SiC陶瓷，有极大的应用前景。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人刘永胜;万佳佳;董宁;张青;门静;成来飞;张立同;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201510571106.1
- 申请时间2015年09月09日
- 申请公布号CN105198437A
- 申请公布时间2015年12月30日
- 分类号C04B35/565(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I;
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