一种纳米石墨片导电薄膜及其制备方法

　　摘要：本发明公开了一种纳米石墨片导电薄膜及其制备方法。纳米石墨片导电薄膜是以纳米石墨片为填料、成膜物质为基体膜材的一种复合导电薄膜。制备时，首先，将稀释剂和助剂与成膜物质混合均匀获得基体膜材浆料，然后用流延成型的方法成膜，加热干燥以调整基体膜材薄膜的硬度，再采用微粉喷射成型方法将纳米石墨片精确嵌入到基体膜材中，加热固化，获得纳米石墨片导电薄膜。本发明可实现纳米石墨片导电薄膜的可控制备，保证了纳米石墨片在基体膜材内的分散范围和效果，避免导电填料分散不均匀问题，所制备的纳米石墨片导电薄膜具有强度高、不易破损、形状任意可控、导电性能稳定等优点，且导电效果得到明显提高。

专利类型发明专利
申请人三峡大学;华中科技大学;
发明人吴海华;郭辉;熊盼;吴朝;王从军;
地址443002 湖北省宜昌市大学路8号
申请号CN201510539634.9
申请时间2015年08月28日
申请公布号CN105175985A
申请公布时间2015年12月23日
分类号C08L61/06(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L75/04(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;B29D7/01(2006.01)I;