摘要：本发明公开了一种ZnTe单晶体的制备方法，用于解决现有方法制备的ZnTe单晶体尺寸小的技术问题。技术方案是首先对石英坩埚进行处理，并在石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。将单质Zn和Te装入处理好的石英坩埚中并真空封装。将真空封装好的石英坩埚装入摇摆炉中，使用阶梯升温、摇摆，使融化的单质Zn和Te充分混合，摇摆结束后保温，之后炉冷至室温。对上下炉体升温到预设的目标温度后进行保温，后下降石英坩埚进行晶体选晶生长，晶体生长一段时间后，对上下炉体同时同速率降温，晶体生长结束，降温退火后关闭电源进行炉冷。本发明通过对长晶炉温场、降温速率和石英坩埚下降速率进行控制，在无籽晶条件下制备出了大尺寸ZnTe单晶体。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人徐亚东;柏伟;姬磊磊;刘航;符旭;刘长友;介万奇;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201510468818.0
- 申请时间2015年08月04日
- 申请公布号CN105063741A
- 申请公布时间2015年11月18日
- 分类号C30B11/00(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;
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