摘要：本发明公开了一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以水合氢氧化钡、金属银、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应7天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为：BaAgSbS3和BaAgSbS3·H2O，本发明具有操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物，产率可达到40%?50%，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人刘毅;刘畅;沈亚英;候佩佩;张家正;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201510310461.3
- 申请时间2015年06月08日
- 申请公布号CN105036192B
- 申请公布时间2017年01月25日
- 分类号C01G30/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
