一种钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法

　　摘要：本发明公开了一种高效钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下至上依次为：背场电极，晶硅底太阳电池，PEDOT:PSS-TIPD隧道结，富勒烯电子传输层，钙钛矿顶太阳电池，3-己基噻吩的聚合物空穴传输层和顶电极。所述制备方法为：背场电极采用丝网印刷、磁控溅射或热蒸发法制备；晶硅底太阳电池采用传统晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺制绒后，再采用液态源扩散法制得pn结；隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；富勒烯电子传输层采用旋涂法制备；钙钛矿顶太阳电池隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；3-己基噻吩的聚合物空穴传输层采用旋涂法和热退火相结合的方式制备；顶电极采用热蒸镀或磁控溅射法制备。

专利类型发明专利
申请人华北电力大学;
发明人白一鸣;李聪;吴云召;延玲玲;谭占鳌;
地址102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
申请号CN201510338498.7
申请时间2015年06月17日
申请公布号CN105023921A
申请公布时间2015年11月04日
分类号H01L25/16(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;