摘要：本发明提供一种SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法，SiC衬底GaN基紫外LED外延片包括自下而上设置的n型SiC衬底、缓冲层、导电的布拉格反射镜层(DBR)、n-AlxGa1-xN层、紫外发光多量子阱层和p-GaN层，所述X选自0-1，n型SiC衬底厚度小于等于100微米。本发明还公开了一种采用所述SiC衬底GaN基紫外LED外延片制备而成的器件。本发明所述外延片和器件利用导电的布拉格反射镜层将量子阱向衬底方向发射的光反射回表面方向，同时利用其导电特性，在解决SiC材料对紫外光吸收同时，也实现了外延片和器件的垂直电流输运、高光提取效率及高散热能力。
- 专利类型发明专利
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;大连理工大学;
- 发明人蒋建华;梁红伟;夏晓川;黄慧诗;闫晓密;
- 地址214000 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201510274602.0
- 申请时间2015年05月26日
- 申请公布号CN104979446A
- 申请公布时间2015年10月14日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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