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    一种超高带宽锗硅光电探测器

      摘要:本发明涉及高速大容量光纤通信系统中的硅基集成光电子器件——超高速锗硅光电探测器,包括几个物理上分离的地极和一个信号极,所述地极之间通过一段或几段导线连接,所述一段或几段导线形成的总电感量为50pH至900pH。本发明通过Wire?Bonding技术,在现有的锗硅光电探测器电极中引入具有特定电感量的导线,使得器件在高频处带宽曲线有一定抬升。本发明在没有增加工艺复杂度、不影响器件其它性能参数的情况下,实现了一种超高带宽锗硅光电探测器。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华中科技大学;
    • 发明人余宇;陈冠宇;张新亮;
    • 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
    • 申请号CN201510311785.9
    • 申请时间2015年06月09日
    • 申请公布号CN104952940A
    • 申请公布时间2015年09月30日
    • 分类号H01L31/02(2006.01)I;