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    拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统

      摘要:拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统,包括同源多路时钟,超连续谱光源和多个单波长半导体激光器,各个单波长半导体激光器的频率通过同源多路时钟调节为超连续谱光源的频率的整数倍或整除倍。本发明通过增加单波长半导体激光来弥补传统超连续谱光源难以覆盖400nm以下波长以及在400-2400nm处单波长功率密度小于10mW/nm的弱点,所加的单波长半导体激光器波长可以覆盖375nm-2400nm,最高单波长功率密度可以到200mW/nm,使之组成的新型超连续谱光源适用于375-400nm范围内的光谱显微等领域应用。此外通过对单波长半导体激光器和传统超连续谱光源的脉冲产生电路的时钟控制,可以使单波长半导体激光与传统超连续谱光源保持同相位输出,并且相对的脉冲延时灵活可调。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人武汉安扬激光技术有限责任公司;
    • 发明人杨惟佳;陈抗抗;
    • 地址430074 湖北省武汉市洪山区创业街留学生创业园三楼C3116
    • 申请号CN201510381191.5
    • 申请时间2015年07月02日
    • 申请公布号CN104934844A
    • 申请公布时间2015年09月23日
    • 分类号H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/067(2006.01)I;