摘要：本发明提供一种导电图案的形成方法，包括：提供衬底；在衬底的表面的预设形成导电图案的部分形成亲水区域，在衬底的表面的剩余部分形成疏水区域，其中亲水区域具有与待形成的导电图案一致的图案；通过选择性生长，在亲水区域上形成导电纳米线层或导电纳米粒子层以形成导电图案。根据本发明实施例的导电图案的形成方法，可以避免使用相关技术中采用刻蚀工艺以除去多余金属而形成导电图案的步骤，从而提高原料利用率同时避免污染。
- 专利类型发明专利
- 申请人深圳市华科创智技术有限公司;温维佳;曾西平;
- 发明人温维佳;曾西平;
- 地址518057 广东省深圳市南山科技园南区粤兴一道9号香港科技大学产学研大楼412
- 申请号CN201510113075.5
- 申请时间2015年03月13日
- 申请公布号CN104779014A
- 申请公布时间2015年07月15日
- 分类号H01B13/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
