摘要：本发明公开了一种发光二极管，属于光电子制造技术领域，该发光二极管包括依次层叠的衬底、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO导电膜、分布布拉格反射层以及绝缘层，还包括P电极和N电极，P电极中第一P电极夹持于ITO导电膜与分布布拉格反射层之间，第二P电极夹持于分布布拉格反射层与绝缘层之间，第三P电极设置在绝缘层上，三个P电极相接触，N电极中第一N电极设置于N极孔中并与N型GaN层接触，第二电极夹持于分布布拉格反射层与绝缘层之间，第三N电极设置在绝缘层上，三个N电极相接触，第一P电极与第一N电极间隔排列。该发光二极管中电流通道更短，增强了ITO的电流扩展效果。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人徐瑾;金迎春;徐盛海;谭劲松;吴克敏;胡引;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510126600.7
- 申请时间2015年03月23日
- 申请公布号CN104752575A
- 申请公布时间2015年07月01日
- 分类号H01L33/38(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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