摘要：本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生长Cu(OH)2纳米线；去除残余的光刻胶；对Cu(OH)2纳米线进行热分解，得到CuO纳米线；对CuO纳米线进行还原，得到铜纳米线；利用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应用于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的温度和压力下得到致密的键合层，且制备工艺简单，无需复杂的设备，成本低，具有极大的应用价值。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人廖广兰;独莉;史铁林;谭先华;宿磊;陈鹏飞;沈俊杰;汤自荣;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201510075419.8
- 申请时间2015年02月12日
- 申请公布号CN104637831A
- 申请公布时间2015年05月20日
- 分类号H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;
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