摘要：本发明公开了一种WS2-MoS2-C复合负极材料及其制备方法，该材料表示为如下结构式：(WS2)x(MoS2)yCz，由纳米级WS2、纳米级MoS2以及纳米级石墨颗粒复合而成，其中，纳米级WS2和纳米级MoS2的粒径为10-60nm，纳米级WS2和纳米级MoS2均匀分布于石墨基体中且被石墨基体包覆，结构式中的x、y和z分别表示WS2、MoS2以及石墨在所述复合负极材料中的质量百分比，且x、y和z同时满足以下关系：x+y+z＝1，(x+y)/z≥1，x≠0，y≠0。该复合负极材料以二硫化钨粉、二硫化钼粉和石墨粉作为原料，采用机械球磨法获得。材料有比较大的比表面积，具有良好电化学性能。
- 专利类型发明专利
- 申请人安泰科技股份有限公司;
- 发明人曾宏;武英;赵海花;周少雄;
- 地址100081 北京市海淀区学院南路76号
- 申请号CN201410778600.0
- 申请时间2014年12月15日
- 申请公布号CN104577063A
- 申请公布时间2015年04月29日
- 分类号H01M4/36(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;
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京公网安备11010802043465号
