摘要：本发明提供了一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：配制质量浓度为5-30%的双氧水；将铜箔浸泡其中，铜箔被双氧水氧化；然后用该预处理后的铜箔用于CVD生长石墨烯。所述的步骤2）中的浸泡时间为5-60s。相比较于其他控制铜箔表面石墨烯形核密度的方法，本方法简便易行，只需要预先对铜箔进行双氧水浸泡就可以有效降低铜箔表面石墨烯的形核密度。同时，本方法也可以与其他控制方法联合使用，在本方法的基础上，通过控制混气比、气体压强、铜箔表面粗糙度、生长温度等，可以进一步降低形核密度，提高石墨烯薄膜的单晶尺寸。
- 专利类型发明专利
- 申请人泰州巨纳新能源有限公司;泰州石墨烯研究检测平台有限公司;上海巨纳科技有限公司;
- 发明人丁荣;梁铮;倪振华;陈玉明;袁文军;
- 地址225300 江苏省泰州市凤凰西路168号5号楼
- 申请号CN201410845545.2
- 申请时间2014年12月31日
- 申请公布号CN104562005A
- 申请公布时间2015年04月29日
- 分类号C23C28/04(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C22/05(2006.01)I;
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