摘要：本发明涉及一种打孔镉片补偿3He正比计数器中子能量响应的方法，属于辐射测量领域。现有的方法中，3He正比计数器在低能段的响应明显高于国际放射委员会（ICRP）74号出版物给出的注量剂量转换曲线，如不加以补偿，会给实际测量工作带来较大的误差。本发明所述的方法在3He正比计数器外包裹一层镉的薄片，所述的镉薄片表面打有一定数量的孔洞。采用本发明所述的方法能够实现低能补偿，有效改善3He正比计数器对低能中子的响应。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国辐射防护研究院;
- 发明人刘建忠;王勇;刘倍;徐园;刘惠英;
- 地址030006 山西省太原市学府街102号
- 申请号CN201310445518.1
- 申请时间2013年09月26日
- 申请公布号CN104516008A
- 申请公布时间2015年04月15日
- 分类号G01T1/18(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
