摘要：本发明公开了一种留边波浪切高方阻铝金属化膜，包括绝缘质地的基膜和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜的一侧，所述基膜的另一侧设置有留边，所述留边的边缘侧为波浪切边结构；所述金属镀层朝向所述留边的一侧为镀层厚度一致的高阻区，所述金属镀层背向所述留边的一侧为镀层厚度一致的低阻区，所述高阻区的镀层厚度小于所述低阻区的镀层厚度，且所述高阻区和所述低阻区之间设置有镀层厚度渐变的过渡区。本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，改善了电容器制成品的耐压性能，高阻区可以适应大电流的冲击，并增强与喷金层的融接能力，使接触电阻下降到更低的可控范围。
- 专利类型发明专利
- 申请人安徽赛福电子有限公司;
- 发明人曹骏骅;吴平;
- 地址244000 安徽省铜陵市狮子山区栖凤路1771号
- 申请号CN201410800785.0
- 申请时间2014年12月22日
- 申请公布号CN104465094A
- 申请公布时间2015年03月25日
- 分类号H01G4/33(2006.01)I;H01G4/015(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
