摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管芯片包括：衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层和P型层，发光二极管芯片还包括从P型层刻蚀到N型层的凹槽、设于凹槽内的N型层上的N型焊盘、设于P型层上的电流扩展层和P型焊盘，P型焊盘嵌设在电流扩展层中，P型焊盘和N型焊盘均包括依次层叠的底层、中间层和顶层，发光二极管芯片还包括：设于P型层上的第一环状保护层和设于凹槽内的N型层上的第二环状保护层，P型焊盘的底层包括设于P型层上且位于第一环状保护层环内的第一底层、设于P型层上且位于第一环状保护层环外的第二底层和覆盖在第一环状保护层上的第三底层。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人张建宝;吴继清;胡瑶;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201410668447.6
- 申请时间2014年11月20日
- 申请公布号CN104409599A
- 申请公布时间2015年03月11日
- 分类号H01L33/38(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
