摘要：本发明为一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法，主要针对LTE频段多天线增益提升提供一种解决方案。本发明在不改变LTE多天线阵列原有结构（反射板、馈电网络、阵列数量、振子数量、阵列间距、振子间距、极化方式、功率分配比例）前提下，根据不同振子的功率分配比例，在阵列中不同的位置引入若干数量的引相器，多天线阵列，每一列包含1-n个引向器，引向器的位置位于振子正上方，距离振子h，0.08λ≤h≤0.35λ。多天线阵列的引向器，为十字形或圆环状金属片，其尺寸小于λ/2；以此来提高阵列天线的增益。
- 专利类型发明专利
- 申请人武汉虹信通信技术有限责任公司;
- 发明人郭继权;田宇兴;
- 地址430073 湖北省武汉市东湖高新技术开发区东信路5号
- 申请号CN201410666447.2
- 申请时间2014年11月20日
- 申请公布号CN104393423A
- 申请公布时间2015年03月04日
- 分类号H01Q21/00(2006.01)I;H01Q19/00(2006.01)I;H01Q19/10(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
