摘要：本发明公开了一种图形化衬底及其制备方法、外延片制作方法及外延片，属于发光二极管领域。所述方法包括：在蓝宝石衬底上沉积二氧化硅层；采用光刻胶掩膜及刻蚀工艺刻蚀二氧化硅层直至裸露出部分蓝宝石衬底，形成多个凸起；在蓝宝石衬底设置凸起的表面溅射氮化铝层；除去凸起顶面的光刻胶掩膜以及光刻胶掩膜上溅射的氮化铝；采用湿法腐蚀法除去凸起。当在图形化衬底上生长氮化镓层时，空心结构成为空气间隙，氮化镓材料折射率为2.5，氮化铝材料折射率为2.0，空气作为最低折射率的材料，使光在氮化镓、氮化铝、空气蓝宝石衬底界面处不易被透射更易被反射，可产生更高的反射率，从而提高了发光二极管的光提取效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人桂宇畅;张建宝;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201410411366.8
- 申请时间2014年08月20日
- 申请公布号CN104332541A
- 申请公布时间2015年02月04日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
