摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：在衬底上生长外延层得到外延片，外延层包括依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层以及P型层；对外延层进行两次刻蚀，以在外延层上形成第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽内，第二凹槽的底面为衬底，第二凹槽的底面的宽度小于第一凹槽的底面的宽度；在刻蚀后的外延片表面沉积一层保护层；采用激光划片工艺在第二凹槽内进行划片，产生V形划槽，第二凹槽的底面的宽度大于V形划槽的开口的宽度；将划片完成后的外延片放入腐蚀液进行腐蚀，去除激光划片产生的烧蚀物；去除外延片表面的保护层；分别在P型层和N型层上形成P电极和N电极。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人张威;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201410603022.7
- 申请时间2014年10月29日
- 申请公布号CN104319323A
- 申请公布时间2015年01月28日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
