摘要：本发明提供了一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，属于声表面波器件技术领域，所述方法包括：将烘箱的温度稳定在160摄氏度，晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤；烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度，再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度，恒温保持1小时；将所述烘箱的温度降至120摄氏度，温度恒定10分钟后取出所述晶片。本发明通过将晶片的烘烤温度控制在150摄氏度至160摄氏度，使光刻胶达到流变状态，达到最大限度的保护线条作用，减缓侧向腐蚀的速度，实现厚膜细线条的目的，从而降低干刻或剥离的工艺复杂度，同时也降低了工艺成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京中讯四方科技股份有限公司;
- 发明人董启明;张敬钧;
- 地址100194 北京市海淀区苏家坨镇聂各庄路7号
- 申请号CN201410407221.0
- 申请时间2014年08月18日
- 申请公布号CN104317171A
- 申请公布时间2015年01月28日
- 分类号G03F7/38(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
