摘要：本发明公开了一种带三角槽的SOI-LDMOS高压功率器件。本发明针对现有技术SOI-LDMOS器件关断时，漏极电压将在埋氧层下方诱导出电子反型层，它会阻止等势线穿过埋氧层，导致击穿过早发生在硅层，纵向耐压难以提高的问题，公开了一种带三角槽的SOI-LDMOS高压功率器件。其主要是通过在漂移区下方的埋氧层上蚀刻出的三角形沟槽；这样在漂移区下方，就存在一个埋氧层斜面，它可以束缚带正电的空穴，形成高浓度的正面电荷，这些电荷大大提高了器件纵向耐压。而且，器件漂移区厚度从源到漏线性增加，根据RESURF(降低表面电场)原理，横向电场因受到调制而变得均匀，有利于提高横向耐压和抑制比导通电阻的快速增加。
- 专利类型发明专利
- 申请人西华大学;
- 发明人阳小明;李天倩;卿朝进;蔡育;
- 地址610039 四川省成都市金牛区土桥金周路999号
- 申请号CN201410539085.0
- 申请时间2014年10月13日
- 申请公布号CN104241388A
- 申请公布时间2014年12月24日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
