一种发光二极管芯片及其制造方法

　　摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管芯片包括：衬底、依次覆盖在衬底上的N型层、多量子阱和P型层，N型层、多量子阱和P型层上设有不连续的N型刻蚀区域，N型刻蚀区域包括刻蚀平面和台阶，刻蚀平面处于N型层上，台阶为依次经过N型层、多量子阱和P型层的斜面；发光二极管芯片还包括：电流阻挡层、N电极和P电极；电流阻挡层包括第一个覆盖部分和第二个覆盖部分，电流阻挡层的第一个覆盖部分覆盖在多个不连续的N型刻蚀区域间未刻蚀的P型层和台阶上，电流阻挡层的第二个覆盖部分覆盖在P型层上一连续未刻蚀的区域；N电极覆盖电流阻挡层的第一个覆盖部分以及不连续的N型刻蚀区域的刻蚀平面。

专利类型发明专利
申请人华灿光电股份有限公司;
发明人张威;林凡;王江波;
地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
申请号CN201410424185.9
申请时间2014年08月26日
申请公布号CN104218133A
申请公布时间2014年12月17日
分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;