摘要：本发明涉及晶体生长设备领域，具体涉及利用坩埚下降法生长大尺寸晶体的水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉。本发明提供的水冷杆包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均设有进水口利出水口；本发明提供了一种包括上述水冷杆的晶体生长炉。本发明采用分段式水冷杆米调节温场，可有效地传导结晶潜热，保证温场的平衡。此外，本发明还提供了一种包括上述水冷杆的封闭式晶体生长炉，该晶体生长炉不但消除了挥发物对环境的污染，使得坩埚不需要密封，从而能够多次使用，而且在抽真空或充气的条件下能够有效地防止加热炉丝因氧化而损坏。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京滨松光子技术股份有限公司;
- 发明人潘兴彦;张红武;韩永飞;于立伟;
- 地址100070 北京市丰台区南四环西路128号院3号楼903室
- 申请号CN201310131908.1
- 申请时间2013年04月17日
- 申请公布号CN104109901A
- 申请公布时间2014年10月22日
- 分类号C30B11/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
