摘要：本发明公开了一种用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体及其系统，所述系统包括：刻蚀腔体、气体产生装置和控制系统，气体产生装置用于将产生的刻蚀气体、氮气和乙醇气体进行混合输入到刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体上设有进气口和出气口，刻蚀腔体内设有旋转平台、加热器和气体匀流装置，进入刻蚀腔体的混合气体通过气体匀流装置进行充分混合，旋转平台上放置有待刻蚀的半导体器件，控制系统控制气体产生装置产生混合气体，混合气体在刻蚀腔体内充分混合，控制系统控制旋转平台转动并控制加热器进行加热。
- 专利类型发明专利
- 申请人河北神通光电科技有限公司;
- 发明人庞克俭;江西元;邵苏予;刘胜伟;
- 地址050227 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
- 申请号CN201410354793.7
- 申请时间2014年07月24日
- 申请公布号CN104103561A
- 申请公布时间2014年10月15日
- 分类号H01L21/67(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
