摘要：本发明公开了一种温度补偿方法，包括在硅片保持件上安装多个第二温度传感器；将硅片保持件搬入处理容器内，各第二温度传感器和处理容器内的多个第一温度传感器一一对应；控制加热器以第二温度传感器为控温对象调整处理容器内的温度，使第二传感器采集的温度上升至多个离散温度点，当采集温度收敛于离散温度点时控制其在该离散温度点恒温一定时间段；在每一个离散温度点的恒温时间段内周期性地记录多个第一和第二温度传感器所采集的温度，并计算两者的温度差异值；在实际热处理工艺中，根据各离散温度点及其对应的温度差异值，通过线性插值法计算出目标温度所对应的温度差异值作为第一温度传感器所采集温度的温度补偿值。本发明的温度补偿方法能够真实反映硅片温度。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人王艾;徐冬;张乾;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410307082.4
- 申请时间2014年06月30日
- 申请公布号CN104090604A
- 申请公布时间2014年10月08日
- 分类号G05D23/30(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
