摘要：本发明公开了一种高边横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，N?外延层，P+埋层，P+对通隔离，场氧，P?top层，P?体区，P?体区接触P+，N+源电极，栅氧层，多晶硅栅电极，N+漏电极。所述P型衬底的上面是N?外延层。所述N?外延层的一侧设有P+埋层和P+对通隔离，用以隔离不同类型的器件。进一步，P?体区和P+对通隔离之间设有另一个P?体区，P?体区内设有体区接触P+。P?体区和P?体区之间设有P?top层。本发明源电极和衬底之间的雪崩击穿电压大大提高，即隔离性能有了很大的改进，满足了较高工作电压领域的应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人吴焕挺;韩雁;张世峰;张炜;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201410271875.5
- 申请时间2014年06月18日
- 申请公布号CN104037231B
- 申请公布时间2016年08月31日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
