摘要：本发明公开了一种半导体材料SiC薄膜的制备工艺，它包括下述步骤：步骤1、选取石墨片为衬底材料，并将石墨片打磨清洗干燥；步骤2、将石墨片固定在蒸镀室上方的样品架上，Si颗粒放置在蒸发坩埚内；步骤3、蒸镀；步骤4、蒸镀后冷却；步骤5、将蒸镀冷却后的石墨片固定在磁控溅射溅射室的转盘上，C靶材放置在射频靶上，溅射气体为Ar气；步骤6、溅射；步骤7、溅射后冷却，再取出置于高真空退火炉中退火，形成半导体SiC多晶薄膜；解决了传统采用单晶硅衬底作为基片制备碳化硅薄膜存在的成本高、工艺繁琐以及硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，严重限制了其器件的性能和使用寿命等问题。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人谢泉;鞠云;张晋敏;肖清泉;
- 地址550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处
- 申请号CN201410273829.9
- 申请时间2014年06月19日
- 申请公布号CN104018124A
- 申请公布时间2014年09月03日
- 分类号C23C14/26(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
