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    一种C/SiC-HfB2-HfC超高温陶瓷基复合材料的制备方法

      摘要:本发明涉及一种C/SiC-HfB2-HfC超高温陶瓷基复合材料的制备方法,采用真空压力浸渍法在纤维增强复合材料预制体中引入B4C和C有机前躯体,结合反应熔体浸渗法,利用硅铪合金与B4C、C反应,原位生成SiC、HfB2和HfC。得到的材料具有良好的力学性能且含有多种抗烧蚀成分,生成的HfB2和HfC晶粒细小,体积含量高,有效的提高了抗烧蚀性能。本发明能够适用于复合材料,且可以产生HfC,SiC和HfB2相,有效增加基体中的铪化合物相的体积分数,提高其在超高温环境下的抗烧蚀能力。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人西北工业大学;
    • 发明人王一光;罗磊;刘俊朋;段刘阳;张立同;成来飞;
    • 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
    • 申请号CN201410203159.3
    • 申请时间2014年05月14日
    • 申请公布号CN103979974A
    • 申请公布时间2014年08月13日
    • 分类号C04B35/565(2006.01)I;C04B35/52(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;